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油漆内电场将阻止空穴向晶界层深处的迁移

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     油漆 冲击间隔过程中,造成正反偏Schottky势垒不对称畸变的主要原因是载流子注入的距离不够深,而势垒的畸变是由于界面中性费米能级的上移。

    当冲击继续作用于Schottky势垒,多次冲击引起大注入已经使正偏晶界处陷阱被填满,处于饱和状态,使注入的电子向晶界氟碳漆层深处扩散,有使整个晶界层中陷阱被注满的趋势,零场面不断向反偏晶界迁移,这样在负方向形成的热刺激电流峰值越来越大。随着电子不断地向晶界层深处的扩散,反偏晶界层深处的扩散,反偏晶界的中性费米能级也不断上升,但是,由于大注入形成的内电场将阻止空穴向晶界层深处的迁移。势垒高度明显降低,即在Schottky势垒的大注入仍存在一定程度的不对称畸变,但势垒高度明显降低,即在Schottky势垒的大注入过程中,Schottky势垒有线性化趋势,**后得到畸变后的Schottky势垒图。

   涂料 从以上的两个过程可以看到,在注入过程中,高密度陷阱对注入电子的大量捕获及储存效应引起了Schottky势垒的不对称畸变。

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