十城万盏触动中国半导体照明产业亢奋神经

　　作为出生“寒门”的led，可谓是一路跋涉、辛苦异常。如今随着技术的跃升，已经被称为第四代照明光源或绿色光源，可谓实至名归。它具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。故在当前的经济形势严峻、能源危机的情况下一跃成为广受赞誉的新的照明形式。

　　近年来，世界上各个国家围绕led的研究和应用展开了激烈的技术竞赛。美国从2000年起投资5亿美元实施“国家半导体照明计划”，欧盟也在2000年7月宣布启动类似的计划。中国在“863”计划的支持下，2003年6月份首次提出发展半导体照明计划。

　　863计划奠定中国led产业基础

　　2002年前国内led芯片完全依赖进口，2003年国家半导体照明工程启动后，GaN功率型芯片从无到有，并带动了小功率芯片的发展，逐步替代进口。2006年国内led芯片需求量660亿只，进口370亿只，国产化率已达到44%。预计2007年国产白光照明用小功率GaN芯片将达到80亿只，国产化率超过30%，功率型GaN芯片国产化率将达到20%。

　　2003年，半导体照明的“十一五”863重大项目自实施以来，代表了国内研发的**高水平。如今，我国led外延材料、芯片制造、器件封装、荧光粉等方面均已显现具有自主技术产权的单元技术，部分核心技术具有原创性，初步形成了从上游材料、中游芯片制备、下游器件封装及集成应用等比较完整的研发与产业体系，为我国led产业做大做强在一定程度上奠定了基础。

　　截至2008年底，国家半导体照明工程取得重大进展：探索性、前沿性材料生长和器件研究出现部分原创性技术。国内已研制出280纳米紫外led器件，20毫安输出功率达到毫瓦量级，处于国际先进水平;非极性氮化镓的外延生长，X射线衍射半峰宽由原来的780弧秒下降至559弧秒，这一数值是目前国际上报道的**好结果之一;首次实现大面积纳米和薄膜型光子晶格led，20mA室温连续驱动小芯片输出功率由4.3mW提升至8mW;全磷光型叠层白光OLED发光效率已达到45流明/瓦;成功开发出6片型和7片型MOCVD样机，正在进行工艺验证。