揭秘:国家半导体照明工程项目实施进展

    半导体照明的“十一五”863重大项目代表了国内研发的**高水平，项目实施以来，我国LED外延材料、芯片制造、器件封装、荧光粉等方面均已显现具有自主技术产权的单元技术，部分核心技术具有原创性，初步形成了从上游材料、中游芯片制备、下游器件封装及集成应用的比较完整的研发与产业体系，为我国LED产业做大做强在一定程度上奠定了基础。

    国家半导体照明工程项目的实施，对推动我国半导体照明行业的发展，发挥了重要作用。

    截至到2008年底，国家半导体照明工程取得的重大进展情况如下：

    1、探索性、前沿性材料生长和器件研究出现部分原创性技术。

    国内已研制出280纳米紫外LED器件，20毫安输出功率达到毫瓦量级，处于国际先进水平；

    非极性氮化镓的外延生长，X射线衍射半峰宽由原来的780弧秒下降至559弧秒，这一数值是目前国际上报道的**好结果之一；

    首次实现大面积纳米和薄膜型光子晶格LED，20mA室温连续驱动小芯片输出功率由4.3mW提升至8mW；

    全磷光型叠层白光OLED发光效率已达到45流明/瓦;成功开发出6片型和7片型MOCVD样机，正在进行工艺验证。

    2、产业化关键技术取得较大突破。

    国产芯片替代进口比例逐年增长，截至目前已接近50％。

    功率型白光LED封装接近国际先进水平,已成为全球重要的LED封装基地。以企业为主体的100流明/瓦LED制造技术进展较快，通过图形衬底技术和改善外延层结构，产业化线上完成的功率型芯片封装后达到75流明/瓦。

    具有自主知识产权的功率型硅衬底LED芯片封装后效率接近60流明/瓦，处于国际先进水平。